Keywords
газовый сенсор
дефекты
диоксид олова
облучение электронами
поверхность оксида
Abstract
Проведено облучение электронным пучком с дозами 100 и 1000 кГр порошков нанокристаллического SnO2, синтезированного золь-гель методом, для применения в качестве чувствительного материала для газовых сенсоров на монооксид углерода CO. Для облученного материала с дозой 1000 кГр показано усиление отклика при детектировании CO в 3 раза (20 м.д., 150 °C) в сравнении с необлученным материалом. Концентрацию генерируемых дефектов контролировали, отслеживая изменения в оптических спектрах поглощения полупроводников, а также в 119Sn мессбауэровских спектрах поглощения. Изменение состояния поверхности оксида после облучения определяли методами РФЭС, ИК-спектроскопии и термопрограммируемого восстановления водородом (ТПВ-H2).